Транзисторы мощные низкочастотные биполярные обратной проводимости (n-p-n). КТ827, КТ827А, КТ827Б, КТ827В. Основные технические характеристики и распиновка выводов приведены в наблице ниже. Данные транзисторы продукт советской радиоэлектронной промышлености.  Ниже приведены их основные характеристики.

Основные характеристики транзистора КТ827                        
 IKmax, (IK,и max)  Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора. А, Б, В 20 (40)  А   КТ827 цоколёвка      
 UКЭR  Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при определённом сопротивлении в цепи база-эмаиттер. КТ827А 100  В
КТ827Б 80
КТ827В 60
 PK Рассеиваемая мощность коллектора. А, Б, В 125  Вт
 f гр.  Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.  А, Б, В  10  МГц
 h21Э  Статический коэффициент предачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. А, Б, В  750...18000  -
 IБ  Допустимый ток базы. А, Б, В  0,5  А
 UБЭ нас. Напряжение насыщения  база-эмиттер.  А,Б,В  4  В
 UКЭ нас.  Напряжение насыщения коллектор-эмиттер А, Б, В  2  В
RБЭ Сопротивление в цепи база-эмиттер А, Б, В  1 кОм