Транзисторы мощные низкочастотные биполярные обратной проводимости (n-p-n). КТ819, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ.Основные технические характеристики и распиновка выводов приведены в наблице ниже. Эти транзисторы творение советской радиоэлектронной промышлености в своё время были очень популярны, редко какой усилитель звука или блок питания обходился без применения этих транзисторов. Несмотря на их почтенный возраст они и сегоддня находят применение у радиолюбителей.

Основные характеристики транзистора КТ819                         
 IKmax, (IK,и max)  Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора. КТ819А 10 (15)  А      КТ818_цоколёвка   
КТ819Б 10 (15)
КТ819В 10 (15)
КТ819Г 10 (15)
КТ819АМ 15 (20)
КТ819БМ 15 (20)
КТ819ВМ 15 (20)
КТ819ГМ 15 (20)
 UКЭR  Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при определённом сопротивлении в цепи база-эмаиттер. КТ819А 40  В
КТ819Б 50
КТ819В 70
КТ819Г 100
КТ819АМ 40
КТ819БМ 50
КТ819ВМ 70
КТ819ГМ 100
 PK Рассеиваемая мощность коллектора. КТ819А  60  Вт
КТ819Б  60
КТ819В  60
КТ819Г  60
КТ819АМ  100
КТ819БМ  100
КТ819ВМ  100
КТ819ГМ  100
 f гр.  Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.  для всех  12  МГц
 h21Э  Статический коэффициент предачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. КТ819А  15...30  -
КТ819Б 20...30
КТ819В 15...30
КТ819Г 12...30
КТ819АМ 15...30
КТ819БМ 20...30
КТ819ВМ 15...30
КТ819ГМ 12...30
 IБ  Допустимый ток базы. для всех  3  А
 UБЭ нас. Напряжение насыщения  база-эмиттер.  А,Б,В,Г  5  В
АМ, БМ, ВМ, ГМ 3 В
 UКЭ нас.  Напряжение насыщения коллектор-эмиттер А, Б, В, Г  5  В
АМ, БМ, ВМ, ГМ 2
RБЭ Сопротивление в цепи база-эмиттер для всех  0,1 кОм