Транзисторы мощные низкочастотные биполярные прямой проводимости (p-n-p). КТ818, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ.Основные технические характеристики и распиновка выводов приведены в наблице ниже. Эти транзисторы творение советской радиоэлектронной промышлености, в своё время были очень популярны, редко какой усилитель звука или блок питания обходился без применения транзисторов этой серии. Несмотря на их почтенный возраст они и сегоддня находят применение у радиолюбителей.

Основные характеристики транзистора КТ818                         
 IKmax, (IK,и max)  Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора. КТ818А 10 (15)  А      КТ818_цоколёвка   
КТ818Б 10 (15)
КТ818В 10 (15)
КТ818Г 10 (15)
КТ818АМ 15 (20)
КТ818БМ 15 (20)
КТ818ВМ 15 (20)
КТ818ГМ 15 (20)
 UКЭR  Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при определённом напряжении в цепи база-эмаиттер. КТ818А 40  В
КТ818Б 50
КТ818В 70
КТ818Г 90
КТ818АМ 40
КТ818БМ 50
КТ818ВМ 70
КТ818ГМ 90
 PK Рассеиваемая мощность коллектора. КТ818А  60  Вт
КТ818Б  60
КТ818В  60
КТ818Г  60
КТ818АМ  100
КТ818БМ  100
КТ818ВМ  100
КТ818ГМ  100
 f гр.  Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.  для всех  7  МГц
 h21Э  Статический коэффициент предачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. КТ818А  15  -
КТ818Б 20
КТ818В 15
КТ818Г 12
КТ818АМ 15
КТ818БМ 20
КТ818ВМ 15
КТ818ГМ 12
 IБ  Допустимый ток базы. для всех  3  А
 UБЭ нас. Напряжение насыщения  база-эмиттер.  для всех  3  В
 UКЭ нас.  Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ818А  1,5  В
остальные 2
RБЭ Сопротивление в цепи база-эмиттер для всех  0,1 кОм